Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IXFH26N50 за ціною від 1593.73 грн до 1593.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFH26N50 |
 MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXFH26N50 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IXFH26N50 | Виробник : IXYS |
MOSFETs DIODE Id26 BVdass500 |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IXFH26N50 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 300W; TO247-3; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 26A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 135nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns |
товару немає в наявності |