Технічний опис IXFH26N50 Ixys Semiconductor GmbH
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH26N50
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH26N50 Код товару: 42816 |
 Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
||
 |
IXFH26N50 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|
|
|
IXFH26N50 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|
 |
IXFH26N50 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|
 |
IXFH26N50 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 26 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 300 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
товар відсутній |
|
 |
IXFH26N50 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IXFH26N50 | Виробник : IXYS |
MOSFET DIODE Id26 BVdass500 |
товар відсутній |
|
 |
IXFH26N50 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 300W; TO247-3; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 26A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 135nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns |
товар відсутній |