Продукція > IXYS > IXFH26N50P3
IXFH26N50P3

IXFH26N50P3 IXYS


IXFH26N50P3.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+456.1 грн
3+ 337.28 грн
7+ 318.51 грн
30+ 313.64 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH26N50P3 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar3 HiperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFH26N50P3 за ціною від 315.83 грн до 556.9 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFH26N50P3 IXFH26N50P3 Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR 2359840.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar3 HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+516.76 грн
5+ 464.33 грн
10+ 411.91 грн
50+ 362.32 грн
100+ 315.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH26N50P3 IXFH26N50P3 Виробник : IXYS IXFH26N50P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+547.31 грн
3+ 420.31 грн
7+ 382.21 грн
30+ 376.37 грн
IXFH26N50P3 IXFH26N50P3 Виробник : IXYS media-3322528.pdf MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+556.9 грн
10+ 470.63 грн
30+ 371.19 грн
120+ 370.53 грн
IXFH26N50P3 IXFH26N50P3 Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_26n50p3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH26N50P3 IXFH26N50P3 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH26N50P3 IXFH26N50P3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_26n50p3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
товар відсутній