IXFH26N50P3 IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 456.1 грн |
3+ | 337.28 грн |
7+ | 318.51 грн |
30+ | 313.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH26N50P3 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar3 HiperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXFH26N50P3 за ціною від 315.83 грн до 556.9 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFH26N50P3 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar3 HiperFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFH26N50P3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 26A Power dissipation: 500W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFH26N50P3 | Виробник : IXYS | MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFH26N50P3 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
||||||||||||||
IXFH26N50P3 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
||||||||||||||
IXFH26N50P3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V |
товар відсутній |