IXFH26N50P IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHV HiPerFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 556.47 грн |
| 5+ | 511.24 грн |
| 10+ | 465.20 грн |
| 50+ | 389.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH26N50P IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarHV HiPerFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXFH26N50P за ціною від 293.19 грн до 672.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH26N50P | Виробник : IXYS |
MOSFETs HiPERFET Id26 BVdass500 |
на замовлення 4220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFH26N50P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V |
на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFH26N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXFH26N50P | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXFH26N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IXFH26N50P | Виробник : IXYS |
IXFH26N50P THT N channel transistors |
на замовлення 9 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IXFH26N50P | Виробник : Ixys Semiconductor GmbH |
( N-CH U=500В I= 26 A R= 0.23 Om P=400W TO-247) задержка 200 нсек |
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||
|
IXFH26N50P Код товару: 127550
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||
|
|
IXFH26N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |