Продукція > IXYS > IXFH26N50P
IXFH26N50P

IXFH26N50P IXYS

IXFH26N50P.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+524.06 грн
3+365.54 грн
7+345.62 грн
120+342.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH26N50P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarHV HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXFH26N50P за ціною від 257.72 грн до 640.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH26N50P IXFH26N50P Виробник : Littelfuse iscrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh26n50p_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+548.41 грн
30+391.33 грн
120+334.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P IXFH26N50P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixfh26n50p-datasheet?assetguid=50ccf495-5282-4c52-b8c5-535f228f328f Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+565.02 грн
30+342.25 грн
120+294.14 грн
510+257.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P IXFH26N50P Виробник : Littelfuse iscrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh26n50p_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+579.51 грн
30+413.52 грн
120+352.99 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P IXFH26N50P Виробник : Ixys Corporation iscrete-mosfets-n-channel-hiperfets-ixfh26n50p-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+619.14 грн
24+511.01 грн
30+477.51 грн
120+446.62 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P IXFH26N50P Виробник : IXYS IXFH26N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+628.87 грн
3+455.52 грн
7+414.74 грн
120+411.06 грн
510+398.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P IXFH26N50P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008597254-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHV HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+632.17 грн
5+512.50 грн
10+392.84 грн
50+339.49 грн
100+290.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P IXFH26N50P Виробник : IXYS media-3320707.pdf MOSFETs HiPERFET Id26 BVdass500
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+640.29 грн
10+608.30 грн
30+354.60 грн
120+311.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P Виробник : Ixys Semiconductor GmbH littelfuse-discrete-mosfets-ixfh26n50p-datasheet?assetguid=50ccf495-5282-4c52-b8c5-535f228f328f ( N-CH U=500В I= 26 A R= 0.23 Om P=400W TO-247) задержка 200 нсек
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P
Код товару: 127550
Додати до обраних Обраний товар

littelfuse-discrete-mosfets-ixfh26n50p-datasheet?assetguid=50ccf495-5282-4c52-b8c5-535f228f328f Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P IXFH26N50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P IXFH26N50P Виробник : Littelfuse iscrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh26n50p_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.