Продукція > Транзистори > IGBT > IXFH26N50P

IXFH26N50P

littelfuse-discrete-mosfets-ixfh26n50p-datasheet?assetguid=50ccf495-5282-4c52-b8c5-535f228f328f
Код товару: 127550
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXFH26N50P за ціною від 346.51 грн до 1071.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFH26N50P IXFH26N50P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfh26n50p-datasheet?assetguid=50ccf495-5282-4c52-b8c5-535f228f328f Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+715.85 грн
30+408.17 грн
120+346.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P IXFH26N50P 26N50P.PDF ( N-CH U=500В I= 26 A R= 0.23 Om P=400W TO-247) задержка 200 нсек Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+1071.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P IXFH26N50P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008597254-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHV HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P IXFH26N50P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH26N50P_Datasheet.PDF MOSFETs HiPERFET Id26 BVdass500
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P littelfuse-discrete-mosfets-ixfh26n50p-datasheet?assetguid=50ccf495-5282-4c52-b8c5-535f228f328f
IXFH26N50P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+715.85 грн
30+408.17 грн
120+346.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P 26N50P.PDF
IXFH26N50P
( N-CH U=500В I= 26 A R= 0.23 Om P=400W TO-247) задержка 200 нсек Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1071.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P IXYS-S-A0008597254-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH26N50P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHV HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N50P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH26N50P_Datasheet.PDF
IXFH26N50P
Виробник: IXYS
MOSFETs HiPERFET Id26 BVdass500
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.