Продукція > IXYS > IXFH26N60P
IXFH26N60P

IXFH26N60P IXYS

IXFH26N60P.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+690.92 грн
5+597.10 грн
10+555.92 грн
15+523.80 грн
30+462.85 грн
60+424.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH26N60P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 460W, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarHV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm.

Інші пропозиції IXFH26N60P за ціною від 688.40 грн до 1084.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFH26N60P IXFH26N60P Ixys Corporation lfusediscretemosfetsnchannelhiperfetsixfh26n60pdatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1084.40 грн
14+1009.65 грн
15+950.65 грн
30+810.49 грн
60+688.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60P IXFH26N60P IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0016860702-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 460W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60P lfusediscretemosfetsnchannelhiperfetsixfh26n60pdatasheet.pdf
IXFH26N60P
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+1084.40 грн
14+1009.65 грн
15+950.65 грн
30+810.49 грн
60+688.40 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60P LFSI-S-A0016860702-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH26N60P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 460W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.