IXFH26N60P IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 26
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 460
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarHV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 519 грн |
| 5+ | 480.06 грн |
| 10+ | 423.14 грн |
| 50+ | 348.41 грн |
| 100+ | 297.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH26N60P IXYS SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 460W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH26N60P за ціною від 325.8 грн до 652.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH26N60P | Виробник : IXYS |
MOSFET 600V 26A |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXFH26N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IXFH26N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
IXFH26N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXFH26N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXFH26N60P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Power dissipation: 460W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXFH26N60P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXFH26N60P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Power dissipation: 460W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 200ns |
товар відсутній |