Продукція > LITTELFUSE > IXFH26N60P
IXFH26N60P

IXFH26N60P Littelfuse

media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+456.46 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH26N60P Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarHV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXFH26N60P за ціною від 296.72 грн до 835.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH26N60P IXFH26N60P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F9DF33DFBB2259&compId=IXFH26N60P.pdf?ci_sign=9bba2217361a08c9c0640ecbde1a01f412fcd492 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+603.80 грн
3+478.89 грн
5+420.70 грн
10+405.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60P IXFH26N60P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0016860702-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH26N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.27 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+694.41 грн
5+564.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60P IXFH26N60P Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH26N60P-Datasheet.PDF?assetguid=7F279F9D-6FA3-416E-88EF-49FFF079F4B3 Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+705.54 грн
30+364.45 грн
120+343.98 грн
510+296.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60P IXFH26N60P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783F9DF33DFBB2259&compId=IXFH26N60P.pdf?ci_sign=9bba2217361a08c9c0640ecbde1a01f412fcd492 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+724.56 грн
3+596.77 грн
5+504.84 грн
10+486.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60P IXFH26N60P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH26N60P_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 26A
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+754.77 грн
10+423.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60P IXFH26N60P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+835.27 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60P IXFH26N60P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh26n60p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh26n60p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60P IXFH26N60P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH26N60P IXFH26N60P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.