Технічний опис IXFH30N50
- MOSFET, N, TO-247
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:500V
- Cont Current Id:30A
- On State Resistance:0.16ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-247
- Termination Type:Through Hole
- Avalanche Single Pulse Energy Eas:1.5J
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- Max On State Resistance:0.16ohm
- Max Repetitive Avalanche Energy:45mJ
- Max Voltage Vds:500V
- Max Voltage Vgs th:4V
- Min Junction Temperature, Tj:-55`C
- N-channel Gate Charge:227nC
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:360W
- Power Dissipation Pd:360W
- Pulse Current Idm:120A
- Rate of Voltage Change dv / dt:5V/ns
- Typ Reverse Recovery Time, trr:250ns
- Weight:6g
- Transistor Case Style:TO-247
Інші пропозиції IXFH30N50
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IXFH30N50 | Виробник : IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD |
товар відсутній |
||
IXFH30N50 | Виробник : IXYS | MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds |
товар відсутній |