Продукція > IXYS > IXFH30N50P
IXFH30N50P

IXFH30N50P IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_30n50p_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
на замовлення 231 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+584.71 грн
30+ 449.4 грн
120+ 402.1 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH30N50P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH30N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFH30N50P за ціною від 316.66 грн до 634.4 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFH30N50P IXFH30N50P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH30N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+588.16 грн
5+ 529.2 грн
10+ 469.51 грн
50+ 412.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH30N50P IXFH30N50P Виробник : IXYS media-3322233.pdf MOSFET 500V 30A
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+634.4 грн
10+ 535.79 грн
30+ 423.08 грн
120+ 388.69 грн
270+ 365.98 грн
510+ 342.62 грн
1020+ 316.66 грн
IXFH30N50P IXFH30N50P
Код товару: 60729
littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_30n50p_datasheet.pdf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXFH30N50P IXFH30N50P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_30n50p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH30N50P IXFH30N50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH30N50P IXFH30N50P Виробник : IXYS IXFH30N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH30N50P IXFH30N50P Виробник : IXYS IXFH30N50P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
товар відсутній