
IXFH30N50Q3 Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 977.25 грн |
30+ | 587.63 грн |
120+ | 552.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH30N50Q3 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 690W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH30N50Q3 за ціною від 609.88 грн до 1059.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFH30N50Q3 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 1212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH30N50Q3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXFH30N50Q3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXFH30N50Q3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 690W; TO247-3; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Power dissipation: 690W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Gate-source voltage: ±20V Technology: HiPerFET™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXFH30N50Q3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 690W; TO247-3; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A Power dissipation: 690W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Gate-source voltage: ±20V Technology: HiPerFET™ |
товару немає в наявності |