IXFH30N50Q3 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1215.40 грн |
| 30+ | 724.54 грн |
| 120+ | 626.88 грн |
| 510+ | 552.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH30N50Q3 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH30N50Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 A, 0.2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500, Dauer-Drainstrom Id: 30, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 690, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5, Verlustleistung: 690, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: Q3-Class HiperFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
Інші пропозиції IXFH30N50Q3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH30N50Q3 | IXYS |
MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFH30N50Q3 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A
MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)