на замовлення 1800 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 760.97 грн |
| 30+ | 598.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH30N60P IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH30N60P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH30N60P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|
 |
IXFH30N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|
 |
IXFH30N60P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 500W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 82nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 300 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXFH30N60P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXFH30N60P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 500W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.24Ω Mounting: THT Gate charge: 82nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |