Продукція > LITTELFUSE INC. > IXFH30N85X
IXFH30N85X

IXFH30N85X Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n85x_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 850V 30A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+639.95 грн
30+516.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH30N85X Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 850V 30A TO247AD, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA, Power Dissipation (Max): 695W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXFH30N85X

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH30N85X IXFH30N85X Виробник : IXYS ixys_s_a0002788738_1-2272554.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.