IXFH320N10T2 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 320A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1045.71 грн |
| 30+ | 815.65 грн |
| 120+ | 767.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH320N10T2 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH320N10T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 320 A, 0.0035 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 320A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1kW, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchT2 HiperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm.
Інші пропозиції IXFH320N10T2 за ціною від 664.27 грн до 1120.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH320N10T2 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH320N10T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 320 A, 0.0035 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 320A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1kW Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchT2 HiperFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXFH320N10T2 | Виробник : IXYS |
MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A |
на замовлення 1203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXFH320N10T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 320A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXFH320N10T2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 320A Power dissipation: 1kW Case: TO247-3 On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 430nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 98ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXFH320N10T2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 320A Power dissipation: 1kW Case: TO247-3 On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 430nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 98ns |
товар відсутній |