IXFH320N10T2

IXFH320N10T2 Littelfuse Inc.


IXF%28T%2CH%29320N10T2.pdf Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 320A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
на замовлення 1012 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1158.60 грн
30+716.21 грн
120+656.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH320N10T2 Littelfuse Inc.

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH320N10T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 320 A, 0.0035 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 320A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1kW, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchT2 HiperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXFH320N10T2 за ціною від 710.54 грн до 1330.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH320N10T2 IXFH320N10T2 Виробник : IXYS media-3321957.pdf MOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1285.42 грн
10+1251.54 грн
30+722.53 грн
120+710.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH320N10T2 IXFH320N10T2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 320A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1301.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH320N10T2 IXFH320N10T2 Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH320N10T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 320 A, 0.0035 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 320A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1kW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchT2 HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1330.99 грн
5+1077.91 грн
10+823.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH320N10T2 IXFH320N10T2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 320A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH320N10T2 IXFH320N10T2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 320A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH320N10T2 IXFH320N10T2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 320A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH320N10T2 IXFH320N10T2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2856F4A8DDE7820&compId=IXFH(T)320N10T2.pdf?ci_sign=712ea63a2238f63f81d01689168cb986a264e110 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 98ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH320N10T2 IXFH320N10T2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2856F4A8DDE7820&compId=IXFH(T)320N10T2.pdf?ci_sign=712ea63a2238f63f81d01689168cb986a264e110 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 98ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.