Продукція > IXYS > IXFH320N10T2
IXFH320N10T2

IXFH320N10T2 IXYS

IXFH(T)320N10T2.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 320A; 1000W; TO247-3; 98ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 320A
Power dissipation: 1kW
Case: TO247-3
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 98ns
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1086.50 грн
5+842.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH320N10T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 320A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 1000W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH320N10T2 за ціною від 549.01 грн до 1411.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH320N10T2 IXFH320N10T2 Виробник : IXYS IXF%28T%2CH%29320N10T2.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 320A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1206.29 грн
30+719.23 грн
120+622.40 грн
510+549.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH320N10T2 IXFH320N10T2 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXF_320N10T2_Datasheet.PDF MOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 100V 320A
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1411.10 грн
10+872.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.