на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1558.51 грн |
| 10+ | 1365.47 грн |
| 30+ | 1130.09 грн |
| 120+ | 1100.13 грн |
| 510+ | 983.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH32N100X IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 32A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH32N100X за ціною від 1434.88 грн до 1615.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH32N100X | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 1000V 32A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 25 V |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXFH32N100X | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk |
товар відсутній |