Продукція > IXYS > IXFH340N075T2
IXFH340N075T2

IXFH340N075T2 IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_340n075t2_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 75V 340A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
на замовлення 59 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+730.84 грн
10+ 647.1 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH340N075T2 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXFH340N075T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 340 A, 0.0032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 340A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 935W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchT2 HiPerFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції IXFH340N075T2 за ціною від 551.45 грн до 772.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFH340N075T2 IXFH340N075T2 Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0012995588-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFH340N075T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 340 A, 0.0032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 340A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchT2 HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+751.92 грн
5+ 680.77 грн
10+ 608.88 грн
IXFH340N075T2 IXFH340N075T2 Виробник : IXYS media-3322542.pdf MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+772.65 грн
10+ 671.02 грн
30+ 567.47 грн
60+ 551.45 грн
IXFH340N075T2 IXFH340N075T2 Виробник : Littelfuse osfets_n-channel_trench_gate_ixf_340n075t2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH340N075T2 IXFH340N075T2 Виробник : IXYS IXFH(T)340N075T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 340A; 935W; TO247-3; 75ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 340A
Power dissipation: 935W
Case: TO247-3
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH340N075T2 IXFH340N075T2 Виробник : IXYS IXFH(T)340N075T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 340A; 935W; TO247-3; 75ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 340A
Power dissipation: 935W
Case: TO247-3
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 75ns
товар відсутній