Продукція > LITTELFUSE > IXFH34N65X2
IXFH34N65X2

IXFH34N65X2 Littelfuse

media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
180+335.06 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH34N65X2 Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH34N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HiPerFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFH34N65X2 за ціною від 310.17 грн до 646.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+360.57 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB353D0CCAB8BF&compId=IXF_34N65X2.pdf?ci_sign=be7eb96a01584ff699e1ad5c4f717dbfd125b3d5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+466.65 грн
3+349.77 грн
8+331.04 грн
120+318.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEB353D0CCAB8BF&compId=IXF_34N65X2.pdf?ci_sign=be7eb96a01584ff699e1ad5c4f717dbfd125b3d5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+559.98 грн
3+435.87 грн
8+397.24 грн
120+382.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 Виробник : Littelfuse Inc. Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-34N65X2-Datasheet?assetguid=786EDC5E-AA3E-4B40-B9C8-EE04A1A33A90 Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+596.73 грн
30+361.30 грн
120+310.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH34N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+614.63 грн
5+552.41 грн
10+490.19 грн
50+431.75 грн
100+376.20 грн
250+368.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 Виробник : IXYS media-3321279.pdf MOSFETs MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+646.21 грн
10+565.44 грн
30+347.78 грн
120+330.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 Виробник : Littelfuse 804948123555761ds100683cixfa-fp-fh34n65x2_.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.