IXFH36N60P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 858.32 грн |
| 6+ | 598.18 грн |
| 10+ | 564.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH36N60P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH36N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 650W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXFH36N60P за ціною від 400.18 грн до 1003.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH36N60P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 600V 36A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 650W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V |
на замовлення 693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFH36N60P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 600V 36A |
на замовлення 186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFH36N60P | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXFH36N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
IXFH36N60P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH36N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 650W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 650W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXFH36N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXFH36N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |