Продукція > IXYS > IXFH36N60P
IXFH36N60P

IXFH36N60P IXYS

media-3323767.pdf Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 36A
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+722.68 грн
10+671.75 грн
30+517.92 грн
120+501.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH36N60P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH36N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 650W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFH36N60P за ціною від 424.83 грн до 952.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH36N60P IXFH36N60P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC1E5B4133F820&compId=IXFH(K%2CT)36N60P.pdf?ci_sign=f303cae51d0f22faf44d1bff5e4ef775e61b58ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+760.09 грн
2+570.15 грн
5+538.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N60P IXFH36N60P Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 600V 36A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 650W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+798.99 грн
30+546.01 грн
120+468.40 грн
510+424.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N60P IXFH36N60P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3BC1E5B4133F820&compId=IXFH(K%2CT)36N60P.pdf?ci_sign=f303cae51d0f22faf44d1bff5e4ef775e61b58ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+912.10 грн
2+710.50 грн
5+646.48 грн
510+621.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N60P IXFH36N60P Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+952.54 грн
16+800.32 грн
30+711.28 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N60P IXFH36N60P Виробник : Littelfuse elfusediscretemosfetsnchannelhiperfetsixf36n60pdatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N60P IXFH36N60P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR 123509.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH36N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 650W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N60P IXFH36N60P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N60P IXFH36N60P Виробник : Littelfuse elfusediscretemosfetsnchannelhiperfetsixf36n60pdatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH36N60P IXFH36N60P Виробник : Littelfuse elfusediscretemosfetsnchannelhiperfetsixf36n60pdatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.