
IXFH36N60P IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 36A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 650W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 496.88 грн |
30+ | 474.66 грн |
120+ | 467.83 грн |
510+ | 424.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH36N60P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH36N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.19 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 650W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXFH36N60P за ціною від 533.74 грн до 947.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFH36N60P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFH36N60P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 36A Power dissipation: 650W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 102nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFH36N60P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 36A Power dissipation: 650W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 102nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 295 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFH36N60P | Виробник : Ixys Corporation |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXFH36N60P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
![]() |
IXFH36N60P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 650W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 650W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXFH36N60P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXFH36N60P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXFH36N60P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |