Продукція > IXYS > IXFH40N50Q
IXFH40N50Q

IXFH40N50Q IXYS

Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH40N50Q-Datasheet.PDF?assetguid=0EC5A491-CE9E-432F-BDFD-54CFAC252C8F
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 40A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH40N50Q IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 40A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH40N50Q

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFH40N50Q IXFH40N50Q IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH40N50Q_Datasheet.PDF MOSFETs 500V 40A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH40N50Q IXFH40N50Q IXYS IXFH40N50Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH40N50Q Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH40N50Q_Datasheet.PDF
IXFH40N50Q
Виробник: IXYS
MOSFETs 500V 40A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH40N50Q IXFH40N50Q.pdf
IXFH40N50Q
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.