IXFH40N85X IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 860W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 914.14 грн |
| 30+ | 712.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH40N85X IXYS
Description: MOSFET N-CH 850V 40A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 860W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH40N85X за ціною від 864.62 грн до 992.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH40N85X | Виробник : IXYS |
MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXFH40N85X | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 850V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||
 |
IXFH40N85X | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 40A; 860W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 40A Power dissipation: 860W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IXFH40N85X | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 40A; 860W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 40A Power dissipation: 860W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 200ns |
товар відсутній |