Продукція > IXYS > IXFH40N85X
IXFH40N85X

IXFH40N85X IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_40n85x_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 850V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 860W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
на замовлення 76 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1017.44 грн
30+793.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH40N85X IXYS

Description: MOSFET N-CH 850V 40A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 860W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH40N85X

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH40N85X IXFH40N85X IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_40N85X_Datasheet.PDF MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH40N85X IXFH40N85X IXYS IXF_40N85X_HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 40A; 860W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 40A
Power dissipation: 860W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH40N85X Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_40N85X_Datasheet.PDF
IXFH40N85X
Виробник: IXYS
MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH40N85X IXF_40N85X_HV.pdf
IXFH40N85X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 40A; 860W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 40A
Power dissipation: 860W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.