
IXFH42N60P3 IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH42N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 42 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 681.05 грн |
5+ | 581.84 грн |
10+ | 501.12 грн |
50+ | 432.53 грн |
100+ | 383.41 грн |
250+ | 372.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH42N60P3 IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH42N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 42 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXFH42N60P3 за ціною від 385.25 грн до 793.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFH42N60P3 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 299 шт: термін постачання 329-338 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXFH42N60P3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
IXFH42N60P3 | Виробник : IXYS | IXFH42N60P3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
IXFH42N60P3 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 600V 42A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |