IXFH42N60P3

IXFH42N60P3 IXYS SEMICONDUCTOR


LFSI-S-A0016802105-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH42N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 42 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1088 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+668.48 грн
5+571.10 грн
10+491.87 грн
50+424.55 грн
100+376.33 грн
250+365.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH42N60P3 IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH42N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 42 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFH42N60P3 за ціною від 378.14 грн до 779.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH42N60P3 IXFH42N60P3 Виробник : IXYS media-3323263.pdf MOSFETs 600V 42A 0.185Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 299 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
Кількість Ціна
1+779.33 грн
10+657.37 грн
30+518.66 грн
120+476.72 грн
270+448.77 грн
510+420.81 грн
1020+378.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH42N60P3 IXFH42N60P3 Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh42n60p3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH42N60P3 IXFH42N60P3 Виробник : IXYS IXFH42N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 42A; 830W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 42A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH42N60P3 IXFH42N60P3 Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 600V 42A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH42N60P3 IXFH42N60P3 Виробник : IXYS IXFH42N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 42A; 830W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 42A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.