Продукція > IXYS > IXFH44N50P
IXFH44N50P

IXFH44N50P IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C0758E5260469&compId=IXFK44N50P.pdf?ci_sign=d640f1f4194f9dc2e366fdcc55cc57269a9c0090 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 658W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+806.19 грн
6+653.46 грн
10+567.75 грн
30+531.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH44N50P IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 658W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH44N50P за ціною від 505.03 грн до 1301.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH44N50P IXFH44N50P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C0758E5260469&compId=IXFK44N50P.pdf?ci_sign=d640f1f4194f9dc2e366fdcc55cc57269a9c0090 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 658W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+967.43 грн
6+814.31 грн
10+681.29 грн
30+637.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH44N50P IXFH44N50P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_44N50P_Datasheet.PDF MOSFETs 500V 44A
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1018.10 грн
10+749.20 грн
120+563.15 грн
510+533.71 грн
1020+505.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH44N50P IXFH44N50P Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1301.39 грн
12+1119.20 грн
13+972.76 грн
30+854.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH44N50P IXFH44N50P
Код товару: 98569
Додати до обраних Обраний товар

DS99366FIXFHFTFK44N50P.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH44N50P IXFH44N50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH44N50P IXFH44N50P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_44n50p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH44N50P IXFH44N50P Виробник : IXYS DS99366FIXFHFTFK44N50P.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 658W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.