
IXFH44N50P IXYS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 658W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Technology: HiPerFET™; Polar™
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 907.18 грн |
2+ | 589.04 грн |
5+ | 556.58 грн |
30+ | 542.32 грн |
120+ | 535.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH44N50P IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 658W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH44N50P за ціною від 508.47 грн до 1345.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFH44N50P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFH44N50P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 44A Power dissipation: 658W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns Gate-source voltage: ±30V Technology: HiPerFET™; Polar™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 158 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFH44N50P | Виробник : Ixys Corporation |
![]() |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXFH44N50P Код товару: 98569
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
![]() |
IXFH44N50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IXFH44N50P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IXFH44N50P | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 658W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |