Технічний опис IXFH44N50P
- MOSFET, N, TO-247
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:500V
- Cont Current Id:44A
- On State Resistance:0.14ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:5V
- Case Style:TO-247
- Termination Type:Through Hole
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.19`C/W
- Max Voltage Vds:500V
- N-channel Gate Charge:98nC
- No. of Pins:3
- Power Dissipation Pd:650W
- Typ Capacitance Ciss:5440pF
- Max Reverse RecoveryTime, trr:200ns
- Transistor Case Style:TO-247
Інші пропозиції IXFH44N50P за ціною від 536.82 грн до 1441.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFH44N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 44A Power dissipation: 658W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns |
на замовлення 79 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
|
IXFH44N50P | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 44A TO247ADPackage / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Power Dissipation (Max): 658W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole |
на замовлення 446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IXFH44N50P | Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IXFH44N50P | IXYS |
MOSFETs 500V 44A |
на замовлення 389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFH44N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 658W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 44A; 658W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Power dissipation: 658W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 842.00 грн |
| 30+ | 585.36 грн |
| IXFH44N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 658W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Description: MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 658W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1057.75 грн |
| 30+ | 623.28 грн |
| 120+ | 536.82 грн |
| IXFH44N50P |
![]() |
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 1441.51 грн |
| 30+ | 1078.49 грн |
| IXFH44N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 500V 44A
MOSFETs 500V 44A
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)







