IXFH46N65X2 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 690.11 грн |
| 30+ | 530.76 грн |
| 120+ | 474.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH46N65X2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 23A, 10V, Power Dissipation (Max): 660W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH46N65X2 за ціною від 428.2 грн до 749.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH46N65X2 | Виробник : IXYS |
MOSFET MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2 |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFH46N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXFH46N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 46A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 On-state resistance: 69mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 180ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IXFH46N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 660W; TO247-3; 180ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 46A Power dissipation: 660W Case: TO247-3 On-state resistance: 69mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 180ns |
товар відсутній |