
IXFH48N60X3 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET ULTRA JCT 600V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 764.77 грн |
30+ | 463.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH48N60X3 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET ULTRA JCT 600V 48A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH48N60X3 за ціною від 400.06 грн до 851.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFH48N60X3 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 626 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IXFH48N60X3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 48A; Idm: 68A; 520W Mounting: THT Reverse recovery time: 163ns Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 38nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 68A Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
IXFH48N60X3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 48A; Idm: 68A; 520W Mounting: THT Reverse recovery time: 163ns Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 38nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 68A Case: TO247-3 |
товару немає в наявності |