Продукція > LITTELFUSE INC. > IXFH50N30Q3
IXFH50N30Q3

IXFH50N30Q3 Littelfuse Inc.

Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 300V 50A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+828.16 грн
30+577.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH50N30Q3 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 300V 50A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 690W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH50N30Q3 за ціною від 602.23 грн до 1010.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH50N30Q3 IXFH50N30Q3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5E17586FE98BF&compId=IXFH50N30Q3_IXFT50N30Q3.pdf?ci_sign=52d892f03a88a92038e3318344d24f837885d158 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO247-3; 250ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 690W
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+841.94 грн
2+752.01 грн
4+710.45 грн
10+683.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N30Q3 IXFH50N30Q3 Виробник : IXYS media-3322723.pdf MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+990.67 грн
10+866.58 грн
30+602.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N30Q3 IXFH50N30Q3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5E17586FE98BF&compId=IXFH50N30Q3_IXFT50N30Q3.pdf?ci_sign=52d892f03a88a92038e3318344d24f837885d158 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO247-3; 250ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Reverse recovery time: 250ns
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 690W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1010.33 грн
2+937.12 грн
4+852.54 грн
10+819.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N30Q3 IXFH50N30Q3 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.