IXFH50N30Q3 Littelfuse Inc.



Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 300V 50A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+784.43 грн
30+546.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH50N30Q3 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 300V 50A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 690W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH50N30Q3 за ціною від 772.90 грн до 1297.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFH50N30Q3 IXFH50N30Q3 IXYS IXFH50N30Q3_IXFT50N30Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO247-3; 250ns
Reverse recovery time: 250ns
Mounting: THT
Power dissipation: 690W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 80mΩ
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+820.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N30Q3 IXFH50N30Q3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_50N30Q3_Datasheet.PDF MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A
на замовлення 338 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1297.74 грн
10+772.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N30Q3 IXFH50N30Q3_IXFT50N30Q3.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO247-3; 250ns
Reverse recovery time: 250ns
Mounting: THT
Power dissipation: 690W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 80mΩ
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+820.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N30Q3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_50N30Q3_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A
на замовлення 338 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1297.74 грн
10+772.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.