Продукція > IXYS > IXFH50N60P3
IXFH50N60P3

IXFH50N60P3 IXYS

IXFH(T,Q)50N60P3.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 1040W; TO247-3
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 94nC
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+755.74 грн
5+588.33 грн
10+528.22 грн
30+494.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH50N60P3 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH50N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.16 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 1.04W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm.

Інші пропозиції IXFH50N60P3 за ціною від 396.06 грн до 945.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+945.23 грн
19+783.63 грн
30+731.61 грн
120+680.94 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS IXFx50N60P3.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+945.44 грн
30+549.96 грн
60+507.06 грн
120+442.00 грн
510+396.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_50N60P3_Datasheet.PDF MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFH50N60P3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH50N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.16 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.04W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 media.pdf
IXFH50N60P3
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+945.23 грн
19+783.63 грн
30+731.61 грн
120+680.94 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 IXFx50N60P3.pdf
IXFH50N60P3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+945.44 грн
30+549.96 грн
60+507.06 грн
120+442.00 грн
510+396.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_50N60P3_Datasheet.PDF
IXFH50N60P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N60P3 LFSI-S-A0007924162-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH50N60P3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH50N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.16 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.04W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.