Продукція > IXYS SEMICONDUCTOR > IXFH50N85X
IXFH50N85X

IXFH50N85X IXYS SEMICONDUCTOR

DS100704DIXFTFHFK50N85XHV.pdf Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH50N85X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 50 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 850V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X-Class HiperFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1038.22 грн
5+1003.50 грн
10+967.94 грн
50+866.56 грн
100+769.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH50N85X IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH50N85X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 50 A, 0.105 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 850V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: X-Class HiperFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXFH50N85X за ціною від 687.95 грн до 1188.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH50N85X IXFH50N85X Виробник : IXYS DS100704DIXFTFHFK50N85XHV.pdf Description: MOSFET N-CH 850V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 25 V
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1143.23 грн
30+708.66 грн
120+687.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N85X IXFH50N85X Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Ultra-Junction-IXF-50N85X-Datasheet.PDF MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1188.08 грн
10+920.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N85X IXFH50N85X Виробник : Littelfuse osfets_n-channel_ultra_junction_ixf_50n85x_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 850V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N85X IXFH50N85X Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 850V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.