Продукція > IXYS > IXFH52N30P
IXFH52N30P

IXFH52N30P IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5E98F50BC18BF&compId=IXF(V%2CH)52N30P(S).pdf?ci_sign=364d4b58b7cffdd5dffcd14a44a5a11a01598e3a Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Reverse recovery time: 160ns
On-state resistance: 73mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 400W
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+522.90 грн
3+342.74 грн
8+323.70 грн
120+314.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH52N30P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXFH52N30P за ціною від 323.70 грн до 696.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH52N30P IXFH52N30P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh52n30p_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+557.08 грн
5+487.01 грн
10+416.10 грн
50+368.92 грн
100+323.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P IXFH52N30P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CA5E98F50BC18BF&compId=IXF(V%2CH)52N30P(S).pdf?ci_sign=364d4b58b7cffdd5dffcd14a44a5a11a01598e3a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Reverse recovery time: 160ns
On-state resistance: 73mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 400W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+627.48 грн
3+427.11 грн
8+388.44 грн
120+377.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P IXFH52N30P Виробник : IXYS media-3322510.pdf MOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Rds
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+640.67 грн
10+536.92 грн
120+387.68 грн
510+341.98 грн
1020+333.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P IXFH52N30P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh52n30p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 52A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 25 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+696.19 грн
30+392.80 грн
120+331.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P IXFH52N30P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P IXFH52N30P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.