Продукція > IXYS SEMICONDUCTOR > IXFH52N30P
IXFH52N30P

IXFH52N30P IXYS SEMICONDUCTOR

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh52n30p_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+586.19 грн
5+475.04 грн
10+363.07 грн
50+324.14 грн
100+287.21 грн
250+275.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH52N30P IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXFH52N30P за ціною від 319.65 грн до 670.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH52N30P IXFH52N30P Виробник : IXYS media-3322510.pdf MOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Rds
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+617.34 грн
10+517.37 грн
120+373.56 грн
510+329.53 грн
1020+321.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P IXFH52N30P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh52n30p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 52A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 25 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+670.84 грн
30+378.50 грн
120+319.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh52n30p_datasheet.pdf.pdf IXFH52N30P THT N channel transistors
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+648.10 грн
3+395.39 грн
8+374.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P IXFH52N30P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P IXFH52N30P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.