Продукція > IXYS > IXFH52N30P
IXFH52N30P

IXFH52N30P IXYS

IXF(V,H)52N30P(S).pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3
Reverse recovery time: 160ns
Mounting: THT
Power dissipation: 400W
Gate charge: 110nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 52A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 73mΩ
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+678.81 грн
5+501.58 грн
10+425.51 грн
30+337.73 грн
120+328.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH52N30P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 400W, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar HiperFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm.

Інші пропозиції IXFH52N30P за ціною від 286.64 грн до 774.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFH52N30P IXFH52N30P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=B7DC2BD7-23EE-4D4D-BB7B-C014B7E25386&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH52N30P-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 300V 52A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 25 V
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+728.96 грн
30+414.66 грн
60+380.41 грн
120+329.97 грн
510+286.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P IXFH52N30P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH52N30P_Datasheet.PDF MOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Rds
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+745.86 грн
10+454.93 грн
120+334.84 грн
510+332.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P IXFH52N30P Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh52n30p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+774.43 грн
21+701.75 грн
25+694.71 грн
50+663.20 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P IXFH52N30P IXYS SEMICONDUCTOR media?resourcetype=datasheets&itemid=B7DC2BD7-23EE-4D4D-BB7B-C014B7E25386&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH52N30P-Datasheet.PDF Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P media?resourcetype=datasheets&itemid=B7DC2BD7-23EE-4D4D-BB7B-C014B7E25386&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH52N30P-Datasheet.PDF
IXFH52N30P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 52A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 25 V
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+728.96 грн
30+414.66 грн
60+380.41 грн
120+329.97 грн
510+286.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXFH52N30P_Datasheet.PDF
IXFH52N30P
Виробник: IXYS
MOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Rds
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+745.86 грн
10+454.93 грн
120+334.84 грн
510+332.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh52n30p_datasheet.pdf.pdf
IXFH52N30P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+774.43 грн
21+701.75 грн
25+694.71 грн
50+663.20 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P media?resourcetype=datasheets&itemid=B7DC2BD7-23EE-4D4D-BB7B-C014B7E25386&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH52N30P-Datasheet.PDF
IXFH52N30P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiperFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.