Продукція > IXYS > IXFH52N50P2
IXFH52N50P2

IXFH52N50P2 IXYS

IXFH(T)52N50P2.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 52A
Power dissipation: 960W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 113nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+701.2 грн
2+ 477.44 грн
5+ 451.14 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH52N50P2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH52N50P2 за ціною від 399.27 грн до 845.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFH52N50P2 IXFH52N50P2 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_52n50p2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+778.91 грн
30+ 598.78 грн
120+ 535.75 грн
510+ 443.63 грн
1020+ 399.27 грн
IXFH52N50P2 IXFH52N50P2 Виробник : IXYS IXFH(T)52N50P2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 52A
Power dissipation: 960W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 113nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+841.44 грн
2+ 594.96 грн
5+ 541.37 грн
IXFH52N50P2 IXFH52N50P2 Виробник : IXYS media-3321774.pdf MOSFET PolarP2 Power MOSFET
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+845.49 грн
10+ 715.01 грн
30+ 565.28 грн
IXFH52N50P2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_52n50p2_datasheet.pdf.pdf
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)