IXFH52N50P2 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 113nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 960W
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 770.62 грн |
| 3+ | 647.95 грн |
| 10+ | 598.41 грн |
| 30+ | 558.31 грн |
| 120+ | 528.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH52N50P2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH52N50P2 за ціною від 509.56 грн до 1103.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH52N50P2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXFH52N50P2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 113nC On-state resistance: 0.12Ω Drain current: 52A Drain-source voltage: 500V Power dissipation: 960W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 232 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFH52N50P2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs PolarP2 Power MOSFET |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXFH52N50P2 | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 500V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXFH52N50P2 |
|
на замовлення 11000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
IXFH52N50P2 Код товару: 211155
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
 |
IXFH52N50P2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |