Продукція > IXYS > IXFH52N50P2
IXFH52N50P2

IXFH52N50P2 IXYS

IXFH(T)52N50P2.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 960W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 113nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+824.03 грн
3+692.85 грн
10+639.88 грн
30+597.00 грн
120+565.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH52N50P2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH52N50P2 за ціною від 544.87 грн до 1166.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH52N50P2 IXFH52N50P2 Виробник : Littelfuse lfusediscretemosfetsnchannelhiperfetsixf52n50p2datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+825.73 грн
25+787.61 грн
50+755.91 грн
100+703.22 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N50P2 IXFH52N50P2 Виробник : IXYS IXFH(T)52N50P2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 960W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 113nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 232 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+988.83 грн
3+863.40 грн
10+767.86 грн
30+716.40 грн
120+678.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N50P2 IXFH52N50P2 Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-52N50P2-Datasheet.PDF MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1026.50 грн
10+803.90 грн
120+582.00 грн
510+548.10 грн
1020+544.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N50P2 IXFH52N50P2 Виробник : Ixys Corporation lfusediscretemosfetsnchannelhiperfetsixf52n50p2datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+1166.13 грн
13+1076.99 грн
30+1004.95 грн
120+917.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N50P2 DS100256AIXFHFT52N50P2.pdf
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N50P2
Код товару: 211155
Додати до обраних Обраний товар

DS100256AIXFHFT52N50P2.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N50P2 IXFH52N50P2 Виробник : IXYS DS100256AIXFHFT52N50P2.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.