Продукція > LITTELFUSE > IXFH52N50P2
IXFH52N50P2

IXFH52N50P2 Littelfuse

lfusediscretemosfetsnchannelhiperfetsixf52n50p2datasheet.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 500V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+781.20 грн
25+745.13 грн
50+715.14 грн
100+665.29 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH52N50P2 Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH52N50P2 за ціною від 521.54 грн до 1103.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH52N50P2 IXFH52N50P2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4B656662E1820&compId=IXFH(T)52N50P2.pdf?ci_sign=7c44fe5509f3cb92524e6dfee4e7d8922d30699d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 113nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 960W
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+788.76 грн
3+663.20 грн
10+612.49 грн
30+571.45 грн
120+540.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N50P2 IXFH52N50P2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D4B656662E1820&compId=IXFH(T)52N50P2.pdf?ci_sign=7c44fe5509f3cb92524e6dfee4e7d8922d30699d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 52A; 960W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 113nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 52A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 960W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+946.51 грн
3+826.45 грн
10+734.99 грн
30+685.73 грн
120+649.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N50P2 IXFH52N50P2 Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXF-52N50P2-Datasheet.PDF MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+982.56 грн
10+769.49 грн
120+557.09 грн
510+524.64 грн
1020+521.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N50P2 IXFH52N50P2 Виробник : Ixys Corporation lfusediscretemosfetsnchannelhiperfetsixf52n50p2datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+1103.24 грн
13+1018.91 грн
30+950.75 грн
120+867.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N50P2 DS100256AIXFHFT52N50P2.pdf
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N50P2
Код товару: 211155
Додати до обраних Обраний товар

DS100256AIXFHFT52N50P2.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N50P2 IXFH52N50P2 Виробник : IXYS DS100256AIXFHFT52N50P2.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.