IXFH54N65X3 Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET 54A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 902.39 грн |
| 30+ | 590.64 грн |
| 120+ | 541.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH54N65X3 Littelfuse Inc.
Description: LITTELFUSE - IXFH54N65X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 54 A, 0.059 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXFH54N65X3 за ціною від 544.84 грн до 976.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH54N65X3 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFH54N65X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 54 A, 0.059 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXFH54N65X3 | Виробник : IXYS |
MOSFETs TO247 650V 54A N-CH X3CLASS |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXFH54N65X3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 54A; Idm: 70A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 54A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 59mΩ Mounting: THT Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X3-Class Reverse recovery time: 140ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IXFH54N65X3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 54A; Idm: 70A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 54A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 59mΩ Mounting: THT Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X3-Class Reverse recovery time: 140ns |
товару немає в наявності |