Продукція > IXYS > IXFH56N30X3
IXFH56N30X3

IXFH56N30X3 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBB8D50EDA38BF&compId=IXF_56N30X3.pdf?ci_sign=633f7ff7bbd4d5f73ecc58750c76abed9db4d947 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 115ns
On-state resistance: 27mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 320W
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+654.10 грн
2+500.75 грн
6+473.11 грн
30+454.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH56N30X3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 56A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 320W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH56N30X3 за ціною від 388.00 грн до 868.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH56N30X3 IXFH56N30X3 Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 300V 56A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+734.90 грн
30+502.30 грн
120+439.83 грн
510+388.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH56N30X3 IXFH56N30X3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FBB8D50EDA38BF&compId=IXF_56N30X3.pdf?ci_sign=633f7ff7bbd4d5f73ecc58750c76abed9db4d947 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FC1CCCD2D4B8BF&compId=300VProductBrief.pdf?ci_sign=243527b0db45b2a88c7e85e44a9cf5e3419beb5c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 115ns
On-state resistance: 27mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 320W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+784.92 грн
2+624.01 грн
6+567.73 грн
30+545.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH56N30X3 IXFH56N30X3 Виробник : IXYS media-3321650.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+868.68 грн
10+734.20 грн
30+579.29 грн
120+531.52 грн
270+520.91 грн
510+468.59 грн
1020+465.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH56N30X3 IXFH56N30X3 Виробник : Littelfuse sfets_n-channel_ultra_junction_ixf_56n30x3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.