Продукція > IXYS > IXFH56N30X3
IXFH56N30X3

IXFH56N30X3 IXYS


IXF_56N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 56A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 115ns
на замовлення 129 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+731.95 грн
10+485.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH56N30X3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 56A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 320W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH56N30X3 за ціною від 334.61 грн до 771.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH56N30X3 IXFH56N30X3 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_56N30X3_Datasheet.PDF MOSFETs TO247 300V 56A N-CH X3CLASS
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+754.96 грн
10+458.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH56N30X3 IXFH56N30X3 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-56n30x3-datasheet?assetguid=8c909b19-ea4e-4b75-a825-453b8d56a758 Description: MOSFET N-CH 300V 56A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
на замовлення 4142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+771.24 грн
30+444.75 грн
120+379.31 грн
510+334.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.