Продукція > IXYS > IXFH58N20

IXFH58N20 IXYS

IXFH42N20.pdf
Виробник: IXYS
TO-3P 0725+
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH58N20 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH58N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 58 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 58, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 300, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, Verlustleistung: 300, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXFH58N20

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFH58N20 42N20%2C%2050N20%2C%2058N20.pdf TO-247AD Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH58N20 IXFH58N20 IXYS IXFH42N20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH58N20 IXFH58N20 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_58N20_Datasheet.PDF MOSFETs 200V 58A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH58N20 IXFH58N20 IXYS SEMICONDUCTOR 123267.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH58N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 58 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 58
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH58N20 Littelfuse IXFH42N20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH58N20 42N20%2C%2050N20%2C%2058N20.pdf
TO-247AD Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH58N20 IXFH42N20.pdf
IXFH58N20
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH58N20 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_58N20_Datasheet.PDF
IXFH58N20
Виробник: IXYS
MOSFETs 200V 58A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH58N20 123267.pdf
IXFH58N20
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH58N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 58 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 58
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH58N20 IXFH42N20.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 200V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.