Продукція > IXYS > IXFH60N50P3

IXFH60N50P3 IXYS


IXF_60N50P3.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Kind of package: tube
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+736.15 грн
5+602.86 грн
10+555.09 грн
30+485.09 грн
60+480.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH60N50P3 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH60N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 60 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 1.04kW, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.

Інші пропозиції IXFH60N50P3 за ціною від 903.82 грн до 903.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFH60N50P3 IXFH60N50P3 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+903.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N50P3 IXFH60N50P3 IXYS SEMICONDUCTOR DS100311BIXFHFTFQ60N50P3.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH60N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 60 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.04kW
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N50P3 IXFH60N50P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_60N50P3_Datasheet.PDF MOSFETs 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N50P3 IXFH60N50P3 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N50P3 IXFH60N50P3 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N50P3 media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+903.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N50P3 DS100311BIXFHFTFQ60N50P3.pdf
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH60N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 60 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.04kW
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N50P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_60N50P3_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFETs 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N50P3 media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N50P3 media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.