Продукція > IXYS > IXFH60N50P3
IXFH60N50P3

IXFH60N50P3 IXYS

IXF_60N50P3.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 60A; 1040W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 327 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+732.95 грн
5+579.01 грн
10+517.22 грн
30+494.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH60N50P3 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH60N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 60 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFH60N50P3 за ціною від 445.16 грн до 915.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH60N50P3 IXFH60N50P3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_60N50P3_Datasheet.PDF MOSFETs 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+781.08 грн
10+462.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N50P3 IXFH60N50P3 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924014-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH60N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 60 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+915.64 грн
5+793.39 грн
10+670.32 грн
50+508.92 грн
100+457.82 грн
250+445.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N50P3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_60N50P3_Datasheet.PDF
IXFH60N50P3
Виробник: IXYS
MOSFETs 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+781.08 грн
10+462.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N50P3 LFSI-S-A0007924014-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH60N50P3
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH60N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 60 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+915.64 грн
5+793.39 грн
10+670.32 грн
50+508.92 грн
100+457.82 грн
250+445.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.