IXFH60N50P3 IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH60N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 60 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 810.61 грн |
| 5+ | 661.17 грн |
| 10+ | 512.61 грн |
| 50+ | 475.18 грн |
| 100+ | 437.89 грн |
| 250+ | 437.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH60N50P3 IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH60N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 60 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXFH60N50P3 за ціною від 408.16 грн до 855.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH60N50P3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 60A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V |
на замовлення 403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFH60N50P3 | Виробник : IXYS |
MOSFETs 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFH60N50P3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IXFH60N50P3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
|
IXFH60N50P3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
 |
IXFH60N50P3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
| IXFH60N50P3 | Виробник : IXYS |
IXFH60N50P3 THT N channel transistors |
на замовлення 357 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|