Продукція > LITTELFUSE > IXFH60N60X3

IXFH60N60X3 Littelfuse

Name: IXFH60N60X3
Brand: IXYS
SKU: 14615747-4
Price: 1001.86 UAH
Availability: BackOrder

sfets_n-channel_ultra_junction_ixfh60n60x3_datasheet.pdf.pdf

Виробник: Littelfuse
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXFH60N60X3 Littelfuse

Description: MOSFET ULTRA JCT 600V 60A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH60N60X3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXFH60N60X3	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 175ns кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFH60N60X3	Виробник : Littelfuse Inc.	Description: MOSFET ULTRA JCT 600V 60A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFH60N60X3	Виробник : IXYS	MOSFETs TO247 600V 60A N-CH X3CLASS	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFH60N60X3	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 60A; Idm: 90A; 625W Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 60A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 625W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 51mΩ Mounting: THT Gate charge: 51nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 175ns	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.