IXFH60N65X2-4 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 60A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1034.24 грн |
| 30+ | 608.24 грн |
| 120+ | 523.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH60N65X2-4 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFH60N65X2-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 780W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: HiPerFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXFH60N65X2-4 за ціною від 547.62 грн до 1039.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH60N65X2-4 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXFH60N65X2-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 780W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: HiPerFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXFH60N65X2-4 | Виробник : Littelfuse |
X2-Class HiPerFET Power MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
IXFH60N65X2-4 | Виробник : IXYS |
MOSFETs 650V/60A TO-247-4L |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IXFH60N65X2-4 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 180ns On-state resistance: 52mΩ Power dissipation: 780W Technology: HiPerFET™; X2-Class Gate charge: 108nC |
товару немає в наявності |