IXFH60N65X2-4 LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH60N65X2-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 895.99 грн |
| 5+ | 722.03 грн |
| 10+ | 547.22 грн |
| 50+ | 490.88 грн |
| 100+ | 436.47 грн |
| 250+ | 420.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH60N65X2-4 LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFH60N65X2-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 780W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: HiPerFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXFH60N65X2-4 за ціною від 523.20 грн до 922.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH60N65X2-4 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 780W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| IXFH60N65X2-4 | Виробник : Littelfuse |
X2-Class HiPerFET Power MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
IXFH60N65X2-4 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Power dissipation: 780W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X2-Class Reverse recovery time: 180ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXFH60N65X2-4 | Виробник : IXYS |
MOSFETs 650V/60A TO-247-4L |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IXFH60N65X2-4 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; 780W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Power dissipation: 780W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X2-Class Reverse recovery time: 180ns |
товару немає в наявності |