IXFH60N65X2 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1025.16 грн |
| 30+ | 602.78 грн |
| 120+ | 518.54 грн |
| 510+ | 445.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH60N65X2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 780W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH60N65X2 за ціною від 531.56 грн до 1067.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH60N65X2 | IXYS |
MOSFETs MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2 |
на замовлення 739 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IXFH60N65X2 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2
MOSFETs MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1067.15 грн |
| 10+ | 642.26 грн |
| 120+ | 531.56 грн |