Продукція > IXYS > IXFH60N65X2
IXFH60N65X2

IXFH60N65X2 IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixfh60n65x2-datasheet?assetguid=05fbbc5b-c245-4dd5-af7b-8fa7f145f7f0 Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 25 V
на замовлення 5075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+934.20 грн
30+543.97 грн
120+466.08 грн
510+420.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH60N65X2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 780W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH60N65X2 за ціною від 606.58 грн до 1018.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH60N65X2 IXFH60N65X2 Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007910715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH60N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 780
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+948.49 грн
5+910.52 грн
10+871.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N65X2 IXFH60N65X2 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFH60N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1018.58 грн
10+606.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N65X2 IXFH60N65X2 Виробник : Littelfuse sfets_n-channel_ultra_junction_ixfh60n65x2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N65X2 IXFH60N65X2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N65X2 IXFH60N65X2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH60N65X2 IXFH60N65X2 Виробник : IXYS IXFH60N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
On-state resistance: 52mΩ
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 780W
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 108nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.