
IXFH60N65X2 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 25 V
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 801.38 грн |
30+ | 503.05 грн |
120+ | 451.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH60N65X2 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 780W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH60N65X2 за ціною від 492.91 грн до 915.80 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFH60N65X2 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 60 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 780 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HiPerFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH60N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH60N65X2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXFH60N65X2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXFH60N65X2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXFH60N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 780W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Technology: HiPerFET™; X2-Class Reverse recovery time: 180ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXFH60N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 780W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Technology: HiPerFET™; X2-Class Reverse recovery time: 180ns |
товару немає в наявності |