IXFH60N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH60N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 780
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 909.51 грн |
| 5+ | 873.09 грн |
| 10+ | 835.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH60N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 780W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH60N65X2 за ціною від 410.44 грн до 976.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH60N65X2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 780W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 25 V |
на замовлення 5077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFH60N65X2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2 |
на замовлення 918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFH60N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXFH60N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXFH60N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXFH60N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 60A; Idm: 120A; 780W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 60A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 780W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; X2-Class Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 180ns |
товару немає в наявності |