IXFH69N30P IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 69A TO247AD
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 799.16 грн |
| 30+ | 622.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH69N30P IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 69A TO247AD, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc).
Інші пропозиції IXFH69N30P за ціною від 594.38 грн до 823.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXFH69N30P | IXYS |
MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds |
на замовлення 291 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IXFH69N30P |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds
MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 823.12 грн |
| 10+ | 715.30 грн |
| 30+ | 612.33 грн |
| 60+ | 594.38 грн |



