IXFH6N100F IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH6N100F IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247 (IXFH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH6N100F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH6N100F | IXYS |
MOSFETs HiPerRF Power Mosfet 1000V 6A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFH6N100F | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 6A; 180W; TO247-3; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™ Drain-source voltage: 1kV Drain current: 6A Power dissipation: 180W Case: TO247-3 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
IXFH6N100F | Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
IXFH6N100F | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXFH6N100F |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs HiPerRF Power Mosfet 1000V 6A
MOSFETs HiPerRF Power Mosfet 1000V 6A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXFH6N100F |
|
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 6A; 180W; TO247-3; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 6A; 180W; TO247-3; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXFH6N100F |
|
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 1KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans MOSFET N-CH 1KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXFH6N100F |
|
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans MOSFET N-CH 1KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.