Продукція > IXYS > IXFH6N120
IXFH6N120

IXFH6N120 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957227820&compId=IXFH6N120.pdf?ci_sign=8972d5a18a8270d253e814360323d28139e6664d Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+801.31 грн
2+591.95 грн
5+559.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH6N120 IXYS

Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH6N120 за ціною від 528.79 грн до 961.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH6N120 IXFH6N120 Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh6n120_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+848.00 грн
30+660.61 грн
120+621.76 грн
510+528.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH6N120 IXFH6N120 Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-HiPerFETs-IXFH6N120-Datasheet.PDF MOSFETs 6 Amps 1200V 2.4 Rds
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+924.30 грн
10+688.32 грн
510+587.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH6N120 IXFH6N120 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957227820&compId=IXFH6N120.pdf?ci_sign=8972d5a18a8270d253e814360323d28139e6664d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+961.58 грн
2+737.66 грн
5+671.56 грн
30+663.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH6N120 IXFH6N120 Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh6n120_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.