Продукція > IXYS > IXFH6N120
IXFH6N120

IXFH6N120 IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh6n120_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+779.95 грн
30+ 607.57 грн
120+ 571.83 грн
510+ 486.33 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH6N120 IXYS

Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH6N120 за ціною від 493.76 грн до 939.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFH6N120 IXFH6N120 Виробник : IXYS IXFH6N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+782.63 грн
2+ 522.27 грн
5+ 493.76 грн
IXFH6N120 IXFH6N120 Виробник : IXYS media-3322801.pdf MOSFET 6 Amps 1200V 2.4 Rds
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+834.96 грн
10+ 725.53 грн
30+ 621.55 грн
60+ 605.52 грн
IXFH6N120 IXFH6N120 Виробник : IXYS IXFH6N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+939.15 грн
2+ 650.83 грн
5+ 592.51 грн
IXFH6N120 IXFH6N120 Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh6n120_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній