Технічний опис IXFH6N120P Littelfuse
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 6A, Power dissipation: 250W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 92nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 300 шт.
Інші пропозиції IXFH6N120P
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IXFH6N120P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 6A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 300 шт |
товар відсутній |
||
IXFH6N120P | Виробник : IXYS | Description: MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247 |
товар відсутній |
||
IXFH6N120P | Виробник : IXYS | MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A |
товар відсутній |
||
IXFH6N120P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 6A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |