
IXFH70N20Q3 IXYS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 70A; 690W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 70A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 933.70 грн |
2+ | 668.93 грн |
4+ | 631.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH70N20Q3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 70A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 690W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH70N20Q3 за ціною від 731.02 грн до 1120.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFH70N20Q3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 70A; 690W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Drain-source voltage: 200V Drain current: 70A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 690W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 67nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFH70N20Q3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXFH70N20Q3 | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 690W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXFH70N20Q3 | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |