Продукція > IXYS > IXFH80N65X2-4
IXFH80N65X2-4

IXFH80N65X2-4 IXYS

IXFH80N65X2-4.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+963.99 грн
2+ 704.54 грн
3+ 703.86 грн
4+ 666.01 грн
30+ 653.63 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH80N65X2-4 IXYS

Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFH80N65X2-4 за ціною від 644.83 грн до 1156.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFH80N65X2-4 IXFH80N65X2-4 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh80n65x2-4_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
на замовлення 48840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1033.16 грн
30+ 805.59 грн
120+ 758.2 грн
510+ 644.83 грн
IXFH80N65X2-4 IXFH80N65X2-4 Виробник : IXYS media-3320010.pdf MOSFET 650V/80A TO-247-4L
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1121.99 грн
10+ 974.55 грн
30+ 828.94 грн
IXFH80N65X2-4 IXFH80N65X2-4 Виробник : IXYS IXFH80N65X2-4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1156.78 грн
2+ 877.97 грн
3+ 844.63 грн
4+ 799.22 грн
30+ 784.36 грн
IXFH80N65X2-4 Виробник : Littelfuse ets_n-channel_ultra_junction_ixfh80n65x2-4_datasheet.pdf.pdf X2-Class HiPerFET Power MOSFET
товар відсутній