Продукція > IXYS > IXFH80N65X2-4
IXFH80N65X2-4

IXFH80N65X2-4 IXYS

IXFH80N65X2-4.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 38mΩ
Reverse recovery time: 200ns
Mounting: THT
Power dissipation: 890W
Gate charge: 0.14µC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1113.60 грн
2+982.90 грн
5+882.26 грн
10+795.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH80N65X2-4 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXFH80N65X2-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 80 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 890W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: HiPerFET Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm.

Інші пропозиції IXFH80N65X2-4 за ціною від 686.44 грн до 1784.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFH80N65X2-4 IXFH80N65X2-4 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixfh80n65x2-4-datasheet?assetguid=34d5abcd-1798-4a02-af00-91fa7bcec2a9 Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1396.76 грн
30+841.64 грн
60+781.76 грн
120+686.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2-4 IXFH80N65X2-4 LITTELFUSE LFSI-S-A0009972206-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFH80N65X2-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 80 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 890W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2-4 Ixys Corporation mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh80n65x2-4-datasheet.pdf X2-Class HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1784.72 грн
9+1601.23 грн
10+1444.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2-4 littelfuse-discrete-mosfets-ixfh80n65x2-4-datasheet?assetguid=34d5abcd-1798-4a02-af00-91fa7bcec2a9
IXFH80N65X2-4
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1396.76 грн
30+841.64 грн
60+781.76 грн
120+686.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2-4 LFSI-S-A0009972206-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH80N65X2-4
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFH80N65X2-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 80 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 890W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2-4 mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh80n65x2-4-datasheet.pdf
Виробник: Ixys Corporation
X2-Class HiPerFET Power MOSFET
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+1784.72 грн
9+1601.23 грн
10+1444.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.