Продукція > IXYS > IXFH80N65X2
IXFH80N65X2

IXFH80N65X2 IXYS

IXF_80N65X2.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+953.95 грн
5+816.01 грн
10+772.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH80N65X2 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH80N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 80 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXFH80N65X2 за ціною від 571.39 грн до 1295.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFH80N65X2 IXFH80N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0010169596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH80N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 80 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1142.86 грн
5+996.28 грн
10+849.69 грн
50+652.89 грн
100+584.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2 IXFH80N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-80n65x2-datasheet?assetguid=2fa3fab3-abe9-4d9e-8e6a-191651df7b8b Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8245 pF @ 25 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1244.17 грн
30+743.81 грн
120+644.42 грн
510+571.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2 IXFH80N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_80N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET 650V/80A Ultra Junction X2
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1295.08 грн
10+792.30 грн
120+681.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2 LFSI-S-A0010169596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFH80N65X2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH80N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 80 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1142.86 грн
5+996.28 грн
10+849.69 грн
50+652.89 грн
100+584.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-80n65x2-datasheet?assetguid=2fa3fab3-abe9-4d9e-8e6a-191651df7b8b
IXFH80N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8245 pF @ 25 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1244.17 грн
30+743.81 грн
120+644.42 грн
510+571.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH80N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_80N65X2_Datasheet.PDF
IXFH80N65X2
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET 650V/80A Ultra Junction X2
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1295.08 грн
10+792.30 грн
120+681.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.