IXFH86N30T IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 86A; 860W; TO247-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 86A
On-state resistance: 46mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 860W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 143nC
Kind of channel: enhanced
Case: TO247-3
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 734.34 грн |
| 2+ | 470.32 грн |
| 5+ | 443.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH86N30T IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 86A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 43A, 10V, Power Dissipation (Max): 860W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH86N30T за ціною від 532.75 грн до 881.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH86N30T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 300V 86A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 860W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFH86N30T | Виробник : IXYS |
MOSFET Trench HiperFET Power MOSFET |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IXFH86N30T | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 86A; 860W; TO247-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 300V Drain current: 86A On-state resistance: 46mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 860W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 143nC Kind of channel: enhanced Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|