Продукція > IXYS > IXFH88N30P

IXFH88N30P IXYS


IXFH(K,T)88N30P.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 88A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 600W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+850.04 грн
6+726.31 грн
10+701.43 грн
30+680.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH88N30P IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO247AD, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXFH88N30P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFH88N30P IXFH88N30P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_88N30P_Datasheet.PDF MOSFETs 88 Amps 300V 0.04 Rds
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH88N30P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_88N30P_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFETs 88 Amps 300V 0.04 Rds
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.