Продукція > IXYS > IXFH88N30P
IXFH88N30P

IXFH88N30P IXYS

IXFH(K,T)88N30P.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 88A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+859.81 грн
6+734.66 грн
10+709.50 грн
30+688.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFH88N30P IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO247AD, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXFH88N30P за ціною від 702.30 грн до 1153.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFH88N30P IXFH88N30P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_HiPerFETs_IXF_88N30P_Datasheet.PDF MOSFETs 88 Amps 300V 0.04 Rds
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1153.43 грн
10+810.85 грн
120+702.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH88N30P IXFH88N30P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixf-88n30p-datasheet?assetguid=87f43b14-0092-4b7d-a34e-de62524b1a84 Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.