IXFH90N20X3 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 85ns
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 492.55 грн |
| 3+ | 375.03 грн |
| 6+ | 354.27 грн |
| 30+ | 341.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH90N20X3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 390W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFH90N20X3 за ціною від 328.81 грн до 660.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXFH90N20X3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X3-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 90A Power dissipation: 390W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 85ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
.jpg "IXFH90N20X3") |
IXFH90N20X3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXFH90N20X3 | Виробник : IXYS |
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44 |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|