IXFH90N65X3 LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH90N65X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 90 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1175.37 грн |
| 5+ | 1054.00 грн |
| 10+ | 932.63 грн |
| 50+ | 848.96 грн |
| 100+ | 767.23 грн |
| 250+ | 751.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFH90N65X3 LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFH90N65X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 90 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 960W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXFH90N65X3 за ціною від 639.49 грн до 1267.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFH90N65X3 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET 90A 650V X3 TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247 (IXFH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 25 V |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFH90N65X3 | Виробник : IXYS |
MOSFETs Discrete MOSFET 90A 650V X3 TO247 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|