Продукція > IXYS > IXFH98N60X3

IXFH98N60X3 IXYS

Name: IXFH98N60X3
Brand: IXYS
SKU: 13099768-3
Price: 1333.8 UAH
Availability: InStock

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfh98n60x3_datasheet.pdf.pdf

Виробник: IXYS
Description: MOSFET ULTRA JCT 600V 98A TO247

на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	1333.80 грн
10+	1180.17 грн
100+	996.72 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXFH98N60X3 IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 98A; Idm: 160A; 960W, Mounting: THT, Reverse recovery time: 220ns, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 98A, On-state resistance: 30mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 960W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 90nC, Technology: HiPerFET™; X3-Class, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 160A, Case: TO247-3, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXFH98N60X3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXFH98N60X3	Виробник : Littelfuse	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFH98N60X3	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 98A; Idm: 160A; 960W Mounting: THT Reverse recovery time: 220ns Drain-source voltage: 600V Drain current: 98A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 960W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 90nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFH98N60X3	Виробник : IXYS	MOSFETs TO247 600V 98A N-CH X3CLASS	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFH98N60X3	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 98A; Idm: 160A; 960W Mounting: THT Reverse recovery time: 220ns Drain-source voltage: 600V Drain current: 98A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 960W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 90nC Technology: HiPerFET™; X3-Class Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Case: TO247-3	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.