IXFJ20N85X IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 9.5A; Idm: 50A; 110W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 110W
Gate charge: 63nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 9.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 850V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: ISO247™
On-state resistance: 0.36Ω
Reverse recovery time: 190ns
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 897.74 грн |
| 3+ | 745.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFJ20N85X IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 9.5A; Idm: 50A; 110W, Mounting: THT, Pulsed drain current: 50A, Power dissipation: 110W, Gate charge: 63nC, Polarisation: unipolar, Technology: HiPerFET™; X-Class, Features of semiconductor devices: ultra junction x-class, Drain current: 9.5A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 850V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: tube, Case: ISO247™, On-state resistance: 0.36Ω, Reverse recovery time: 190ns.
Інші пропозиції IXFJ20N85X
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFJ20N85X | IXYS |
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44 |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFJ20N85X |
|
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)