Продукція > IXYS > IXFK100N65X2
IXFK100N65X2

IXFK100N65X2 IXYS

IXFK(X)100N65X2.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 183nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 30mΩ
Reverse recovery time: 200ns
Mounting: THT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1500.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFK100N65X2 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK100N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 100 A, 0.03 ohm, TO-264P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 1.04kW, SVHC: Lead (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-264P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HiPerFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.

Інші пропозиції IXFK100N65X2 за ціною від 834.45 грн до 1640.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFK100N65X2 IXFK100N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-100n65x2-datasheet?assetguid=bd7dffc9-72d4-4ee4-8bc2-7b72f9da7072 Description: MOSFET N-CH 650V 100A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1640.57 грн
25+1021.52 грн
50+949.61 грн
100+834.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK100N65X2 IXFK100N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_100N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK100N65X2 IXFK100N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixf-100n65x2-datasheet?assetguid=bd7dffc9-72d4-4ee4-8bc2-7b72f9da7072 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK100N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 100 A, 0.03 ohm, TO-264P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.04kW
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-264P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK100N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-100n65x2-datasheet?assetguid=bd7dffc9-72d4-4ee4-8bc2-7b72f9da7072
IXFK100N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 100A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1640.57 грн
25+1021.52 грн
50+949.61 грн
100+834.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK100N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_100N65X2_Datasheet.PDF
IXFK100N65X2
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK100N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-100n65x2-datasheet?assetguid=bd7dffc9-72d4-4ee4-8bc2-7b72f9da7072
IXFK100N65X2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK100N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 100 A, 0.03 ohm, TO-264P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.04kW
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-264P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.