IXFK100N65X2 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Drain current: 100A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 183nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: 650V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1034.28 грн |
| 3+ | 908.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK100N65X2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 100A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK100N65X2 за ціною від 863.20 грн до 1370.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFK100N65X2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2 |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IXFK100N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns Drain current: 100A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.04kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 183nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO264 Reverse recovery time: 200ns Drain-source voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFK100N65X2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 650V 100A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-264 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFK100N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXFK100N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товару немає в наявності |