
IXFK102N30P IXYS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Case: TO264
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 224nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1125.39 грн |
2+ | 769.92 грн |
4+ | 727.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK102N30P IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 102A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK102N30P за ціною від 662.34 грн до 1350.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFK102N30P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFK102N30P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264 Case: TO264 Drain-source voltage: 300V Drain current: 102A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 700W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 224nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXFK102N30P | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 700W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |