IXFK102N30P IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 224nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 224nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1073.96 грн |
2+ | 712.82 грн |
4+ | 673.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK102N30P IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 102A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK102N30P за ціною від 785.78 грн до 1288.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFK102N30P | Виробник : IXYS | MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFK102N30P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 102A Power dissipation: 700W Case: TO264 On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 224nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFK102N30P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 300V 102A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 700W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V |
товар відсутній |