Продукція > IXYS > IXFK102N30P
IXFK102N30P

IXFK102N30P IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957269820&compId=IXFK102N30P.pdf?ci_sign=c151da4b07d5bf21f7c6dd2fd7ca83cee205a948 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 700W
Kind of package: tube
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1188.71 грн
2+813.25 грн
4+768.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFK102N30P IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 102A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFK102N30P за ціною від 886.83 грн до 1426.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFK102N30P IXFK102N30P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A39F945957269820&compId=IXFK102N30P.pdf?ci_sign=c151da4b07d5bf21f7c6dd2fd7ca83cee205a948 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 102A
Gate charge: 224nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 700W
Kind of package: tube
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1426.45 грн
2+1013.43 грн
4+921.89 грн
25+904.83 грн
100+886.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK102N30P IXFK102N30P Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 102A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK102N30P IXFK102N30P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfk102n30p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 102A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK102N30P IXFK102N30P Виробник : IXYS media-3321272.pdf MOSFETs 102 Amps 300V 0.033 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.