Продукція > IXYS > IXFK120N20P
IXFK120N20P

IXFK120N20P IXYS


media-3321309.pdf Виробник: IXYS
MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds
на замовлення 2232 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+940.11 грн
10+ 816.89 грн
25+ 603.52 грн
50+ 582.16 грн
100+ 562.13 грн
250+ 561.46 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFK120N20P IXYS

Description: MOSFET N-CH 200V 120A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 714W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFK120N20P за ціною від 783.29 грн до 967.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFK120N20P IXFK120N20P Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+967.06 грн
150+ 901.09 грн
300+ 851.1 грн
450+ 783.29 грн
Мінімальне замовлення: 25
IXFK120N20P IXFK120N20P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товар відсутній
IXFK120N20P IXFK120N20P Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_120n20p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товар відсутній
IXFK120N20P IXFK120N20P Виробник : IXYS IXFH(K)120N20P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264; 100ns
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 100ns
Power dissipation: 714W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFK120N20P IXFK120N20P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_120n20p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 120A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFK120N20P IXFK120N20P Виробник : IXYS IXFH(K)120N20P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264; 100ns
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 100ns
Power dissipation: 714W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній