
IXFK120N20P Ixys Corporation
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 1003.50 грн |
150+ | 935.05 грн |
300+ | 883.18 грн |
450+ | 812.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK120N20P Ixys Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 120A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 714W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK120N20P за ціною від 792.35 грн до 1146.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFK120N20P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 1552 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
IXFK120N20P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
IXFK120N20P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
IXFK120N20P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264; 100ns Case: TO264 Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate charge: 152nC Reverse recovery time: 100ns On-state resistance: 22mΩ Drain current: 120A Power dissipation: 714W Drain-source voltage: 200V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
IXFK120N20P | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 714W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
IXFK120N20P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264; 100ns Case: TO264 Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate charge: 152nC Reverse recovery time: 100ns On-state resistance: 22mΩ Drain current: 120A Power dissipation: 714W Drain-source voltage: 200V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube |
товару немає в наявності |