IXFK120N30P3 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8630 pF @ 25 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1343.00 грн |
| 25+ | 825.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK120N30P3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 1130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8630 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK120N30P3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFK120N30P3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFK120N30P3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFK120N30P3 | Виробник : IXYS |
MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFK120N30P3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 150nC On-state resistance: 27mΩ Drain current: 120A Drain-source voltage: 300V Power dissipation: 1.13kW Case: TO264 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |