IXFK120N30P3 IXYS/Littelfuse
Виробник: IXYS/Littelfuse
N-канальний ПТ, Udss, В = 300, Id = 120 А, Ptot, Вт = 1 130, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 8630 @ 25, Qg, нКл = 150 @ 10 В, Rds = 27 мОм @ 60A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 4 мА,... Транзистори Корпус: TO-264-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFK120N30P3 IXYS/Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 1130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8630 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFK120N30P3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFK120N30P3 |
MOSFET N-CH 300V 120A TO-264 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
IXFK120N30P3 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 1130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8630 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IXFK120N30P3 | IXYS |
MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IXFK120N30P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 150nC On-state resistance: 27mΩ Drain current: 120A Drain-source voltage: 300V Power dissipation: 1.13kW Case: TO264 Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFK120N30P3 |
|
MOSFET N-CH 300V 120A TO-264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXFK120N30P3 |
|
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8630 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXFK120N30P3 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXFK120N30P3 |
|
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 27mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 27mΩ
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.